Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom (angl. Insulated Gate Bipolar Transistor, skrátene IGBT) je druh tranzistorov pre obrovské spínané výkony (rádovo 10 kW) a vysokú pulznú frekvenciu.
čítajte viac o Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
Encyklopédia: Electronics.sk > Polovodičové súčiastky > Tranzistory >
Príbuzné výrazy:
Text je dostupný za podmienok Creative
Commons Attribution/Share-Alike License 3.0 Unported; prípadne za ďalších
podmienok.
Podrobnejšie informácie nájdete na stránke Podmienky
použitia.